P-type silicon Wafers මත 26.6% ක heterojunction සෛල කාර්යක්ෂමතාවයක් ලබා ගෙන ඇත.

අස්ඵටික/ස්ඵටික සිලිකන් (a-Si:H/c-Si) අතුරුමුහුණතෙහි පිහිටුවා ඇති විෂම සන්ධිය සිලිකන් විෂම සන්ධි (SHJ) සූර්ය කෝෂ සඳහා සුදුසු අද්විතීය ඉලෙක්ට්‍රොනික ගුණ ඇත. අතිශය තුනී a-Si:H නිෂ්ක්‍රීය ස්තරය ඒකාබද්ධ කිරීම 750 mV ක ඉහළ විවෘත පරිපථ වෝල්ටීයතාවයක් (Voc) ලබා ගත්තේය. එපමනක් නොව, n-වර්ගය හෝ p-වර්ගය සමඟ මාත්‍රණය කරන ලද a-Si:H ස්පර්ශක ස්ථරය මිශ්‍ර අවධියකට ස්ඵටිකීකරණය කළ හැක, පරපෝෂිත අවශෝෂණය අඩු කිරීම සහ වාහක තේරීම සහ එකතු කිරීමේ කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කරයි.

LONGi Green Energy Technology Co., Ltd's Xu Xixiang, Li Zhenguo සහ වෙනත් අය P-type silicon Wafers මත 26.6% ක කාර්යක්ෂමතාවයක් සහිත SHJ සූර්ය කෝෂයක් ලබා ගෙන ඇත. කතුවරුන් පොස්පරස් විසරණය ලබා ගැනීමේ පූර්ව ප්‍රතිකාර ක්‍රමෝපායක් භාවිතා කළ අතර වාහක-තෝරාගත් සම්බන්ධතා සඳහා නැනෝ ස්ඵටික සිලිකන් (nc-Si: H) භාවිතා කළ අතර, P-වර්ගය SHJ සූර්ය කෝෂයේ කාර්යක්ෂමතාව 26.56% දක්වා සැලකිය යුතු ලෙස වැඩි කරන අතර එමඟින් P සඳහා නව කාර්ය සාධන මිණුම් ලකුණක් ස්ථාපිත කරන ලදී. - වර්ගය සිලිකන් සූර්ය කෝෂ.

කතුවරුන් උපාංගයේ ක්‍රියාවලි සංවර්ධනය සහ ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා ක්‍රියාකාරීත්වය වැඩිදියුණු කිරීම පිළිබඳ සවිස්තරාත්මක සාකච්ඡාවක් සපයයි. අවසාන වශයෙන්, P-type SHJ සූර්ය කෝෂ තාක්ෂණයේ අනාගත සංවර්ධන මාවත තීරණය කිරීම සඳහා බලශක්ති අලාභ විශ්ලේෂණයක් සිදු කරන ලදී.